電子線描画技術でT型サブミクロンのゲート構造のダイヤモンド半導体を 作成し、世界最高レベルのマイクロ波・ミリ波帯の増幅を達成

国立大学法人佐賀大学と国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構と株式会社ダイヤモンドセミコンダクターは、文部科学省「内閣府宇宙開発利用加速化戦略プログラム」（スターダストプログラム）」の委託事業およびNICT「革新的情報通信技術（Beyond 5G（6G））基金事業の要素技術・シーズ創出型プログラム」により、次世代の究極のパワー半導体材料といわれるダイヤモンドを用い、電子線描画技術によるT型形状の微細ゲート構造を持った高周波半導体デバイスを作製し、世界最高レベルの120 GHz（Gは１０の9乗）のマイクロ波帯（３～３０GHｚ）・ミリ波帯（３０～３００GHｚ）の増幅を達成しました。今回の成果は、ダイヤモンド半導体が、マイクロ波帯・ミリ波帯の高周波数においても、世界最高レベルの増幅動作が行えることを実証したものです。今後、ダイヤモンド半導体デバイス製造の後工程の技術開発を進め、世界初となるダイヤモンド半導体デバイスのサンプル製造・販売をダイヤモンドセミコンダクターより2026年1月から順次開始し、宇宙環境、地上でのマイクロ波帯・ミリ波帯無線機器に向けた開発を加速させてまいります。詳しくは下記をご覧ください。

参照元：佐賀大学広報室
電子線描画技術でT型サブミクロンのゲート構造のダイヤモンド半導体を 作成し、世界最高レベルのマイクロ波・ミリ波帯の増幅を達成
https://www.saga-u.ac.jp/koho/%e4%bc%9a%e8%a6%8b/2025120839293